M10 MBB, N-Type TopCon 108 паўэлементаў 420-435 Вт сонечны модуль чорнай рамы
Звышвысокая генерацыя энергіі/звышвысокі ККД
Палепшаная надзейнасць
Ніжні LID / LETID
Высокая сумяшчальнасць
Аптымізаваны тэмпературны каэфіцыент
Больш нізкая працоўная тэмпература
Аптымізаваная дэградацыя
Выдатная прадукцыйнасць пры слабым асвятленні
Выключная ўстойлівасць да PID
| Сотавы | Мона 182*91 мм |
| Колькасць клетак | 108 (6×18) |
| Намінальная максімальная магутнасць (Pmax) | 420-435 Вт |
| Максімальная эфектыўнасць | 21,5-22,3% |
| Размеркавальная скрынка | Дыёды IP68,3 |
| Максімальнае напружанне сістэмы | 1000В/1500В пастаяннага току |
| Працоўная тэмпература | -40℃～+85℃ |
| Злучальнікі | MC4 |
| Вымярэнне | 1722*1134*30 мм |
| Колькасць аднаго кантэйнера 20GP | 396 ШТ |
| Колькасць аднаго кантэйнера 40HQ | 936 шт |
12-гадовая гарантыя на матэрыялы і апрацоўку;
30-гадовая гарантыя на дадатковую лінейную выходную магутнасць.
* Удасканаленыя аўтаматызаваныя вытворчыя лініі і першакласныя пастаўшчыкі сыравіны гарантуюць, што сонечныя панэлі больш надзейныя.
* Усе серыі сонечных панэляў прайшлі сертыфікацыю якасці TUV, CE, CQC, ISO, UNI9177- Fire Class 1.
* Тэхналогія сонечных элементаў Advanced Half-cells, MBB і PERC, больш высокая эфектыўнасць сонечных батарэй і эканамічныя выгады.
* Якасць класа А, больш выгадная цана, працяглы тэрмін службы на 30 гадоў.
Шырока выкарыстоўваецца ў жылых фотаэлектрычных сістэмах, камерцыйных і прамысловых фотаэлектрычных сістэмах, камунальных фотаэлектрычных сістэмах, сістэмах захоўвання сонечнай энергіі, сонечных вадзяных помпах, хатніх сонечных сістэмах, сонечным маніторынгу, сонечных вулічных ліхтарах і г.д.
Сонечная энергія - гэта аднаўляльная крыніца энергіі, якую можна выкарыстоўваць для вытворчасці электраэнергіі з дапамогай фотаэлектрычных (PV) элементаў.Фотаэлектрычныя элементы звычайна вырабляюцца з крэмнію, паўправадніка.Крэмній легіруюць прымешкамі для стварэння двух тыпаў паўправадніковых матэрыялаў: n-тыпу і p-тыпу.Гэтыя два тыпы матэрыялаў маюць розныя электрычныя ўласцівасці, што робіць іх прыдатнымі для рознага выкарыстання ў вытворчасці сонечнай энергіі.
У фотаэлементах n-тыпу крэмній легіраваны такімі прымешкамі, як фосфар, якія аддаюць лішак электронаў матэрыялу.Гэтыя электроны здольныя свабодна перамяшчацца ўнутры матэрыялу, ствараючы адмоўны зарад.Калі светлавая энергія ад сонца падае на фотаэлемент, яна паглынаецца атамамі крэмнію, ствараючы пары электрон-дзірка.Гэтыя пары падзеленыя электрычным полем у фотаэлеменце, якое выштурхвае электроны да пласта n-тыпу.
У фотаэлектрычных элементах p-тыпу крэмній легаваны прымешкамі, такімі як бор, якія пазбаўляюць матэрыялу электронаў.Гэта стварае станоўчыя зарады, або дзіркі, якія могуць рухацца вакол матэрыялу.Калі светлавая энергія падае на фотаэлектрычную ячэйку, яна стварае электронна-дзірачныя пары, але на гэты раз электрычнае поле штурхае дзіркі да пласта p-тыпу.
Розніца паміж фотаэлектрычнымі элементамі n-тыпу і p-тыпу заключаецца ў тым, як два тыпы носьбітаў зарада (электроны і дзіркі) цякуць у ячэйцы.У фотаэлементах n-тыпу фотагенераваныя электроны цякуць у пласт n-тыпу і збіраюцца металічнымі кантактамі на задняй частцы ячэйкі.Замест гэтага створаныя адтуліны выштурхваюцца да пласта p-тыпу і цякуць да металічных кантактаў на пярэдняй частцы ячэйкі.Адваротнае дакладна для фотаэлектрычных элементаў p-тыпу, дзе электроны цякуць да металічных кантактаў на пярэдняй частцы ячэйкі, а дзіркі цякуць ззаду.
Адным з галоўных пераваг фотаэлементаў n-тыпу з'яўляецца іх больш высокая эфектыўнасць у параўнанні з клеткамі p-тыпу.З-за лішку электронаў у матэрыялах n-тыпу лягчэй утвараць электронна-дзірачныя пары пры паглынанні светлавой энергіі.Гэта дазваляе генераваць большы ток у акумулятары, што прыводзіць да большай выходнай магутнасці.Акрамя таго, фотаэлементы n-тыпу менш схільныя дэградацыі з-за прымешак, што прыводзіць да больш працяглага тэрміну службы і больш надзейнай вытворчасці энергіі.
З іншага боку, фотаэлементы P-тыпу звычайна выбіраюць з-за меншых матэрыяльных выдаткаў.Напрыклад, крэмній, легаваны борам, менш дарагі, чым крэмній, легаваны фосфарам.Гэта робіць фотаэлементы p-тыпу больш эканамічным варыянтам для буйнамаштабнай сонечнай вытворчасці, якая патрабуе вялікай колькасці матэрыялаў.
Такім чынам, фотаэлементы n-тыпу і p-тыпу маюць розныя электрычныя ўласцівасці, што робіць іх прыдатнымі для розных ужыванняў у вытворчасці сонечнай энергіі.У той час як клеткі n-тыпу больш эфектыўныя і надзейныя, клеткі p-тыпу звычайна больш эканамічна эфектыўныя.Выбар гэтых дзвюх сонечных батарэй залежыць ад канкрэтных патрэб прымянення, уключаючы жаданую эфектыўнасць і даступны бюджэт.
